메모리, 시스템반도체, 소부장 115개 연구개발 과제 통해
산업통상자원부는 반도체 석박사 고급인력양성을 위한‘민관공동투자 반도체 고급인력양성사업(이하 민관공동 R&D사업)’의 민관공동투자 유치 체결식을 23일 서울 보코호텔에서 개최했다.
이날 행사에는 산업계를 대표한 삼성전자, SK하이닉스가 참여하여 「민관공동투자 반도체 고급인력양성사업 투자협력 양해각서」를 체결하고 총사업비 2228억 원을 정부와 함께 투자키로 했다.
이 체결식 서명은 산업부, 삼성전자, SK하이닉스, 한국반도체산업협회, 한국산업기술평가관리원이 함께했다.
산업부는 지난 7월 21일 발표한 ‘반도체 초강대국 달성전략’의 후속 조치로 반도체 석박사 고급인력양성을 위한 민관공동 연구 개발(R&D)사업을 산업계 및 전문기관과 함께 준비해 왔다.
민관공동 연구 개발(R&D)사업은 석박사과정 인력이 산업계 수요 R&D과제를 수행하여 기업이 요구하는 전문역량을 보유한 고급인력으로 양성되는 사업으로 기업이 직접 발굴·제안한 연구 개발(R&D)과제를 통해 기업은 대학의 인력을 활용하여 핵심 원천기술을 확보하고, 대학은 기업의 연구 개발(R&D)과제 수행을 통해 기업과의 기술 간극을 해소하여 실전경험을 보유한 전문인력을 양성한다.
이를 통해 향후 10년간 2,365명 이상의 실전형 석박사 고급인력을 배출할 수 있을 것으로 기대된다.
반도체 업계와 산업부는 민관공동 연구 개발(R&D)사업을 위해 반도체 인력양성과 연구개발 생태계 조성을 위한 투자 참여 및 협력 지원 등의 업무 협약(MOU)을 체결했다.
정부와 업계는 2023~2032년까지 총사업비 2,228억 원을 50대50으로 투자하여 산업계가 필요한 반도체 전체 분야의 핵심기술 확보 및 실전형 고급인력 양성을 위해 전방위적으로 지원할 예정이다.
또한, 업계는 반도체 첨단기술 확보 및 우수인력 양성을 위한 과제 발굴부터 기업 엔지니어의 기술멘토링을 통한 대학의 산학 연구 개발(R&D) 지원까지 적극 협력하기로 약속했다.
이를 위해, 삼성전자와 SK하이닉스는 올해 민관공동 연구 개발(R&D)과제기획 시 반도체 선단기술개발 및 애로기술 해소를 위한 과제발굴에 적극적으로 참여하였으며, 이를 통해 정부는‘23년 R&D과제 47건을 추진한다.
민관공동투자 유치 체결식과 함께 개최된 ‘반도체 발전전략 포럼’은 글로벌 반도체 경제 전망 분석, 삼성전자와 SK하이닉스의 반도체 기술 전망 발표 등을 통해 산학연간의 반도체 정보교류 및 소통의 장이 되었다.
산업부 이용필 첨단산업정책관은“민관공동투자 유치 체결식은 산업기술 패권의 핵심인 반도체 산업의 기술경쟁력 확보 및 우수 인력양성이라는 두 가지 숙제를 민간과 정부가 원팀으로 해결해가는 중요한 첫걸음으로, 정부는 지속적으로 민간과 협력하여 선순환적인 반도체 산업의 생태계 조성를 위해 노력해 나가겠다”라고 말했다.