삼성전자 "171조 투자"ㆍSK하이닉스 "파운드리 생산량 2배로“
정부, 민간 510조 투자 유도하고 대규모 세제혜택 등 밝혀
지구촌에서 메모리 반도체 생산을 주도해 온 한국이 비메모리 분야를 포함한 반도체 선두 국가 건설을 위해 삼성전자가 171조를 SK하이닉스가 용인 생산기지 확충 등을 통해 민간에서 2030년까지 510조를 투자한다.
정부는 이를 뒷받침하기 위해 △반도체 공급망 안정화 △반도체 제조 중심지 도약 △인력·시장·기술 확보 △국내 산업 생태계 보호 등 4대 추진전략을 밝혔다.
또 반도체 핵심기술 확보와 생산시설 확충을 위해 연구개발(R&D)에 40~50%, 시설투자에 10~20%의 세액공제를 지원하기로 했다. 1조원 이상의 반도체 등 설비투자 특별자금 신설 등 금융 지원 강화, 화학물질 취급시설 인허가 단축 등 규제 합리화, 용수물량 확보, 송전선로 구축 및 폐수 재활용 R&D 등을 패키지로 지원한다.
문재인 대통령이 참석한 가운데 정부와 반도체 업계는 13일 삼성전자 평택 반도체공장에서 이 같은 내용의 ‘K-반도체 전략’을 발표했다.
13일 문대통령은 "한반도 중심에 세계 최고 반도체 생산기지를 구축하고 글로벌 공급망을 주도해 나가겠다"며 "반도체 산업생태계 전반의 경쟁력 강화를 위해선 다양한 주체들 간의 연대와 협력이 어느 때보다 중요하다"고 강조했다.
이어 "특히 민간 투자의 적기 이행을 위해 정부는 'K-반도체 벨트' 조성, 세제와 금융 규제 개선 등 강력한 인센티브를 제공하겠다"고 덧붙였다.
삼성전자와 SK하이닉스도 정부의 'K-반도체 전략' 발표에 맞춰 시스템반도체 사업 투자 확대 계획을 발표했다.
삼성전자는 2030년까지 시스템반도체 분야에 총 171조 원을 투자하고 첨단 파운드리 공정 연구개발과 생산라인 건설에 더욱 박차를 가한다고 밝혔다.
삼성전자는 앞으로 △차세대 D램에 EUV 기술을 선도적으로 적용해 나가고 △메모리와 시스템반도체를 융합한 'HBM-PIM' △D램의 용량 한계를 극복할 수 있는 'CXL D램' 등 미래 메모리 솔루션 기술 개발에도 박차를 가하며 '초격차 세계 1위' 위상을 강화할 계획이다.
SK하이닉스는 현재 대비 파운드리 생산 능력을 2배로 확대하는 방안을 검토하고 있다"며 "국내 설비 증설, M&A 등 다양한 전략을 검토하겠다고 밝혔다.
현재 SK하이닉스 사업에서 시스템 반도체, 파운드리 등 비메모리 사업 비중은 전체 매출에서 2% 수준에 불과하다.
하이닉스 관계자는 "8인치 파운드리 사업에 투자해 국내 팹리스(반도체 설계 기업)의 개발ㆍ양산은 물론, 세계 시장 진출까지 지원하겠다"며 "글로벌 기업들엔 모바일, 가전, 차량 등 반도체 제품 공급 범위를 넓힐 수 있을 것"이라고 말했다.